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基于位错净滑移失效指示因子的裂纹扩展预测方法及系统【异议或纠错】

档案编号: CQ-301-2114-7404
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G06F30/23;G06F111/10;G06F119/14类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了基于位错净滑移失效指示因子的裂纹扩展预测方法及系统,属于疲劳数值模拟技术领域,包括:根据材料的微观结构图以及各晶粒的随机取向,构建材料的晶体塑性裂纹扩展有限元模型;基于晶体塑性裂纹扩展有限元模型,构建晶体塑性本构模型,并嵌入基于位错净滑移的损伤指示因子,生成基于净滑移损伤因子的扩展有限元裂纹扩展准则;并通过获取裂纹尖端单元积分点的净滑移的平均值,依据新旧裂纹之间的转角判断裂纹扩展方向是否需要修正,从而进行裂纹扩展预测。本发明能模拟微观短裂纹扩展阶段与滑移相关的裂纹扩展行为,又能捕获长裂纹扩展阶段与位错滑移无关的裂纹扩展特性,从而能获得正确的裂纹扩展路径。
附件下载:  (原始资料备查)

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