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一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-581-5802-3353
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B28/06;C30B29/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法,包括步骤:一、熔化及排杂,过程如下:101、熔化:采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化,并向多晶硅铸锭炉内充入惰性气体进行保压;102、降压排杂;103、熔化后期排杂:先将多晶硅铸锭炉的气压进行升压,再对硅料继续熔化,并通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.8≤c<1,c为多晶硅铸锭炉的顶侧比系数;二、长晶及同步排杂:通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.3≤c<0.9。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果,通过熔料后期同步排杂、降压排杂与长晶过程同步排杂有效减少铸锭成品的硬质点,能有效提高铸锭成品的质量。
附件下载:  (原始资料备查)

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