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一种水爆破碎多晶硅料的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-765-7384-8465
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第B02C21/00;B02C19/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种水爆破碎多晶硅料的方法,该方法的具体过程为:将原生硅多晶硅棒料置于高真空熔炼炉内并抽真空,然后通入氩气并加热保温后随炉冷却,将冷却的装载原生硅多晶硅棒料的装料框进行流动水冷却,得到表面产生裂纹的原生硅多晶硅棒料,再进行对碰破碎后分选,得到尺寸为10mm~100mm的硅料粗品,经清洗烘干得到硅料。本发明采用装料筐装载原生硅多晶硅棒料进行加热保温,然后在水槽中进行水爆,再经对碰破碎制备得到硅料,通过对工艺的整体设计和控制,得到粉尘少、表面圆润且尺寸均匀的硅料,促进了硅料拉制单晶的成晶性,提高了硅料的产量和转化率,减少了物料损耗,缩短了制备时间,操作简单,适合于硅料的大规模生产。
附件下载:  (原始资料备查)

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