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快恢复二极管及制备方法、电子设备【异议或纠错】

档案编号: CQ-704-1120-1687
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/868;H01L29/47;H01L21/329类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提出了快恢复二极管及制备方法、电子设备。该快恢复二极管包括:衬底,所述衬底中形成有欧姆接触区;外延层,所述外延层设置在所述衬底上;离子掺杂区,所述离子掺杂区设置在所述外延层中远离所述衬底的一侧;第一金属区,所述第一金属区设置在所述外延层中,且所述第一金属区与所述离子掺杂区相邻设置,所述第一金属区与所述外延层之间形成肖特基接触;第一电极,所述第一电极设置在所述外延层远离所述衬底一侧的表面上;以及第二电极,所述第二电极设置在所述衬底远离所述外延层的一侧。由此,可以使该快恢复二极管具有较快的反向恢复时间、较小的正向导通压降以及较大的恢复软度。
附件下载:  (原始资料备查)

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