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欧姆接触结构、其制造方法以及功率器件【异议或纠错】

档案编号: CQ-260-6854-9149
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/28;H01L29/45类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明属于半导体技术领域,特别是涉及欧姆接触结构、其制造方法以及功率器件。欧姆接触的制造方法包括:提供衬底,在所述衬底上形成反应金属层;所述反应金属层上形成保护层;通过激光退火在所述衬底与所述反应金属层的界面位置形成欧姆接触层。所述保护层的熔点高于所述反应金属层的熔点。本发明中,在反应金属层上形成保护层,保护层能够隔绝反应金属层与空气,防止反应金属层发生氧化,在反应金属层和衬底之间进行退火处理时,金属层渗入到衬底中,金属层中的金属和衬底发生化合反应,形成欧姆接触层,不会影响欧姆接触的形成。
附件下载:  (原始资料备查)

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