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半导体功率器件及其终端区的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-762-1241-2313
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/336;H01L21/331;H01L29/78;H01L29/739类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了半导体功率器件及其终端区制备方法。该制备半导体功率器件终端区的方法包括:在第一导电类型衬底的上表面形成绝缘层;在绝缘层远离第一导电类型衬底的表面形成临时电极;对第一导电类型衬底和临时电极施加电压,以使得半导体功率器件中的可动离子富集在绝缘层中远离第一导电类型衬底的一侧;去除临时电极;在绝缘层远离第一导电类型衬底的一侧,去除预定厚度的绝缘层,形成绝缘介质层。该方法操作简单、方便、容易实现,成本较低,易于工业化生产,有效去除所述绝缘介质层中的可动离子,使半导体功率器件的耐压性满足要求,失效率大幅降低,可靠性明显改善。
附件下载:  (原始资料备查)

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