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沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-878-9722-9673
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法。所述沟槽型MOS结构肖特基二极管包括N型掺杂衬底、设置在所述N型掺杂衬底上表面上的N型掺杂外延层和从所述N型掺杂外延层的上表面向所述N型掺杂外延层中延伸的多个沟槽,其中,所述N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高。由此,通过改变肖特基二极管中N型掺杂外延层的杂质掺杂浓度(N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高),可以改变N型掺杂外延层电场强度分布,进而降低沟槽底部拐角处的峰值电场,达到改善肖特基二极管的反向阻断特性和器件的正向导通特性,即降低肖特基二极管的反向漏电流,升高反向击穿电压。
附件下载:  (原始资料备查)

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