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硅光调制器及其形成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-616-8888-1220
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G02F1/025类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种硅光调制器及其形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底的表面进行刻蚀以得到脊型结构,所述脊型结构具有多段掺杂区域,每段掺杂区域具有相邻的P型掺杂区域以及N型掺杂区域,且所述各段掺杂区域之间具有间隔;其中,沿所述脊型结构的轴向方向,各段掺杂区域的长度逐渐增大。本发明可以在沿脊型结构的轴向方向上,保持PN结性能参数的稳定,从而保证调制器沿轴向有均匀的特征阻抗和群折射率,进而提高调制器的调制效率、器件带宽及整体性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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