联合微电子中心有限责任公司 访客留言 申请认证

信用网址: 167717191.11315.com   

有限责任公司 成立历史第

一种半导体器件及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-103-8244-5878
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/423类
授权状态: 已授权
档案内容: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括:衬底,衬底具有第一导电类型;第一层,第一层位于衬底上方;第一区域,第一区域位于第一层上方,并且;第二区域,第二区域位于第一区域上方;第三区域,第三区域位于第一层上方、以及在第一区域和第二区域的一侧;漏极区域,漏极区域位于第二区域中;源极区域,源极区域位于第三区域中;栅极隔离体,栅极隔离体嵌入在第二区域中,并且,栅极隔离体位于源极区域与漏极区域之间;第一栅极,第一栅极位于第二区域和第三区域上方、以及源极区域与栅极隔离体之间;以及第二栅极,第二栅极包括在栅极隔离体上方的第一部分。
附件下载:  (原始资料备查)

相关专利信息信息

评论

您需要登录后才可以发表评论,请 登录注册

打分

说明:
一、所有信息力求客观、真实:以上信息由全国各级政府职能部门、各行业协会(社团组织)、金融机构、主流媒体、信息主体或实名制下的广大消费者(包括交易对方、员工等)客观提供,不含有本征信平台的任何主观评价;
二、信息异议机制:欢迎大家对有异议的信息及时提出,我们将按照《绿盾全国企业征信管理办法》规定对异议进行核实、修正,确保客观、公平;
三、尊重发布者权益,永不"删贴":对于符合国家法律、法规和本征信平台规定的每一条信息,都将客观记录于企业信用档案,参与信用分值计算,并长期保存。

分享到:
绿盾在线
×
=合作留言=
绿盾业务合作
×
  • 马先生
    15652211315
  • 黄先生
    15652011315