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一种晶圆级COC老化方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-621-6316-9848
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/66;H01L23/544类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种晶圆级COC老化方法,属于芯片技术领域,能够在晶圆级进行操作,COC器件批量老化和测试,过程简单高效,省去夹具成本;该方法包括:S1、采用晶圆工艺在硅晶圆上制备若干组金属电极;每组金属电极对应一个待测芯片;S2、将若干待测芯片键合到硅晶圆表面相应位置上且正负极与对应金属电极电性连接;S3、对待测芯片施加电源使其工作并进行性能测试,得到老化前的性能数据;S4、将硅晶圆置于老化环境中进行老化,并在待测芯片工作状态进行性能测试,得到老化后的性能数据;S5、对比老化前后的性能数据判断出不合格芯片;S6、对硅晶圆进行切割操作,并剔除不合格芯片,得到所有合格的COC器件。
附件下载:  (原始资料备查)

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