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股份有限公司(非上市、自然人投资或控股) 成立历史第14 

一种光电集成硅光芯片及其制备方法、半导体器件【异议或纠错】

档案编号: CQ-105-6292-6161
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L27/12;G02B6/12;H01L23/48;H01L21/84;H01L21/768类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及半导体领域,公开了一种光电集成硅光芯片及其制备方法、半导体器件,包括:绝缘体上硅衬底;绝缘体上硅衬底包括由下至上层叠的基底、绝缘层和单晶硅层;设于单晶硅层区域的集成光路部件;设于基底区域的集成电路部件;硅通孔;在绝缘体上硅衬底的厚度方向上,硅通孔贯通绝缘体上硅衬底;设于绝缘体上硅衬底上表面的第一导电互联结构,第一导电互联结构分别与集成光路部件、硅通孔电连接;设于绝缘体上硅衬底下表面的第二导电互联结构,第二导电互联结构分别与集成电路部件、硅通孔电连接。本申请中集成光路部件和集成电路部件均设在绝缘体上硅衬底上,集成电路部件设置在下表面,可以简化制作工艺,降低制作工艺难度,提升加工良率。
附件下载:  (原始资料备查)

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