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一种高压超高压器件用碳化硅外延片的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-638-0843-5857
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/36;C30B25/18;C30B33/02;H01L21/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种高压超高压器件用碳化硅外延片的制备方法,包括:在碳化硅衬底的碳面涂布一层碳膜,置于外延炉反应室内,通入氢气,逐步升温至1600~1650℃后,通入硅源、碳源和掺杂源,在碳化硅衬底的硅面生长缓冲层,调整各类源的流量值,生长外延层至指定厚度,退火,降至室温,对晶片保护后,抛去碳膜,得到碳化硅外延片。本发明在现有商业化外延炉基础上,通过对衬底进行碳面涂布碳膜,在外延和退火中通过碳膜的碳原子迁移,补充外延层的碳空位,实现碳空位修复,此外还可以调节退火工艺参数改善碳空位密度,增加载流子寿命,与传统载流子寿命增强技术相比,无需复杂的注入+退火或长时间高温氧化。
附件下载:  (原始资料备查)

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