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一种检测TSV中Cu扩散的器件结构及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-059-7910-0141
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L27/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种检测TSV中Cu扩散的器件结构及其制造方法,其结构包括P型硅衬底、PNP晶体管和TSV结构,其中,所述PNP晶体管的N-基区与所述TSV结构相邻设置;本发明利用PNP晶体管电流增益对Cu原子敏感的特性,在TSV附近(PNP晶体管基区边沿距离TSV深槽2μm~5μm)制作一个PNP晶体管,可以实现TSV中Cu是否向硅晶圆扩散的检测。本发明的检测TSV中Cu扩散的器件结构具有工艺兼容性强、检测灵敏性高的优点,在3D集成工艺平台开发和微系统长期可靠性评价方面具有广阔前景。
附件下载:  (原始资料备查)

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