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低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-068-6085-8461
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B23/00;C30B29/36类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法,涉及碳化硅单晶制备技术领域。所述低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法中,首先,将钽、铌金属网在含碳气氛下进行碳化,以形成碳化钽或碳化铌网;其次,将碳化钽或碳化铌网置于物理气相传输方法的原料与籽晶间,并替代多孔石墨材料,使碳化钽或碳化铌网能够耐受高温下富硅组分的腐蚀,且在过滤原料碳化产生的碳颗粒的同时,不会由于自身被腐蚀产生新的碳颗粒,以能够有效降低碳化硅单晶内的包裹物密度。
附件下载:  (原始资料备查)

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