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有限责任公司(中外合资) 成立历史第

一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-077-5911-8932
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/0352;H01L31/107;H01L27/144;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法,SPAD单元在纵截面上包括:衬底,设置在所述衬底上表面的外延层及设置在所述外延层中的第一阱区,通过在第一阱区上下表面设置正向第二阱区、反向第二阱区,从而形成两个雪崩倍增区域来提高SPAD对不同波长的探测效率,其中接近表面的雪崩区域对短波长响应更灵敏,第一阱区与两个相邻的正向第二阱区、反向第二阱区形成的雪崩倍增区域碰撞电离强度大,提高了SPAD的探测效率,通过在纵向上设计叠加的PN结,充分地利用了SPAD的面积,为宽光谱响应,高探测效率,和小型化的SPAD阵列提供了新思路。
附件下载:  (原始资料备查)

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