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专利信息

一种避免因深浅孔导致金属过刻的阵列基板制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-079-4171-1606
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L27/12类
授权状态： 已授权
档案内容： 一种避免因深浅孔导致金属过刻的阵列基板制造方法,包括：第二绝缘层开孔时,同步在面外进行开孔设计,即形成第一面外过孔,提前蚀刻掉所述第一、第二绝缘层,使底层所述第一金属层显露出来；第三绝缘层正常开孔,此时面内过孔和第二面外过孔蚀刻深度为第二绝缘层和第三绝缘层厚度总和,变为深孔,第一面外过孔内的第三面外过孔蚀刻深度仅为第三绝缘层厚度,变为浅孔,且第三面外过孔的孔径小于第一面外过孔的孔径。本发明在不增加现有光罩的数量情况下,在阵列基板与IC接触的bonding位置(面外)的深孔处做一个洞中洞的蚀刻桥接设计,有效避免了面内金属TopMo过刻、PI液不断侵蚀的制程问题。
附件下载：  (原始资料备查)

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