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专利信息

一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-123-1383-7378
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/84类
授权状态： 已授权
档案内容： 一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法,包括：在玻璃基板上形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层；涂布一层有机光阻,作为平坦层并进行图案化,源极位置进行开孔,采用第三绝缘层的光罩进行开孔,沉积第一透明电极层,在开孔处沉积一层辅助透明电极层,并共用第四绝缘层光罩+负型光阻,进行图案化,保留住第四过孔位置的辅助透明电极层；经湿蚀刻后未被退火过的辅助透明电极层,在没有光阻保护的情况下被蚀刻完毕,继续进行第四过孔的干蚀刻制程。本发明共用第四绝缘层光罩+负型光阻特性,过孔干蚀刻SiNx时反应产物残留在所保留部分ITO上,经过三次蚀刻后,有效避免了不同膜层干蚀刻残留的问题。
附件下载：  (原始资料备查)

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