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一种避免蚀刻残留的阵列基板工艺方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-123-1853-3865
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/84类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种避免蚀刻残留的阵列基板工艺方法,包括:在玻璃基板上形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层,涂布一层有机光阻,源极位置进行开孔;采用第三绝缘层的光罩进行开孔,沉积第一透明电极层,沉积一层第四绝缘层,并进行图案化开孔;沉积第二透明电极层。本发明基于9道Mask制程followTop-comTIC显示驱动设计原理情况下,在不增加光罩成本情况下,优化工艺,共用第四绝缘层光罩+负型光阻特性,过孔干蚀刻SiNx时反应产物残留在所保留部分ITO上,经过干蚀刻/草酸湿蚀刻/干蚀刻三次蚀刻后,有效避免了不同膜层干蚀刻残留的问题。
附件下载:  (原始资料备查)

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