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专利信息

一种7mask半导体阵列基板制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-079-4379-4034
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1333类
授权状态： 已授权
档案内容： 一种7mask半导体阵列基板制造方法,包括：在玻璃基板上沉积第一透明电极层,并进行图案化；沉积并图案化形成第一金属层；沉积一层第一绝缘层；沉积一层有源层,并进行图案化；对面内、面外的绝缘层进行开孔,包括：像素电极与源漏极搭接孔、像素电极桥接面外第二金属走线孔；沉积并图案化形成第二金属层；沉积一层第二绝缘层；对面内绝缘层进行开孔,为公共电极与面内触控层搭接孔；图案化第二透明电极层,为公共电极。本发明通过工艺优化,9Mask阵列基板减少两道Mask至7Mask,变更像素电极、第一金属层和第二金属层的成膜顺序,优先图案化像素电极ITO,减少了ITO爬坡孔与孔之间的距离,处于最平整的位置。
附件下载：  (原始资料备查)

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