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硅光调制器及其形成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-094-2480-7524
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G02F1/025类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种硅光调制器及其形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底的表面进行刻蚀以得到脊型结构,所述脊型结构具有相邻的P型掺杂区域以及N型掺杂区域;形成第一电极和第二电极,所述第一电极包含多个第一延伸结构,所述多个第一延伸结构覆盖并电连接所述P型掺杂区域,所述第二电极包括多个第二延伸结构,所述多个第二延伸结构覆盖并电连接所述N型掺杂区域;其中,沿所述脊型结构的轴向方向,所述多个第一延伸结构的面积逐渐增大,以及所述多个第二延伸结构的面积逐渐增大。本发明可以在沿脊型结构的轴向方向上,保证特征阻抗的稳定和微波折射率的稳定,减小阻抗失配,折射率匹配和提高调制效率,进而提升调制器的带宽。
附件下载:  (原始资料备查)

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