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一种半导体器件制备方法和半导体器件【异议或纠错】

档案编号: CQ-095-8620-1044
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10B10/00;H01L21/8238;H01L27/092类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供半导体器件制备方法和半导体器件,所述方法包括:在半导体衬底上制备第一上拉晶体结构、第二上拉晶体结构、第一下拉晶体结构、第二下拉晶体结构、第一存取晶体结构和第二存取晶体结构;在所述第一上拉晶体结构和所述第二上拉晶体结构之间形成第一伪介电阻隔墙;在所述第一上拉晶体结构上制备第一外延结构,以及在所述第二上拉晶体结构上制备第二外延结构,得到所述半导体器件;本发明使第一外延结构和第二外延结构之间存在用于隔离的第一伪介电阻隔墙,因此在增大第一外延结构和第二外延结构的侧向生长体积时,不会存在外延结构相互连接影响半导体的性能,可以在提高半导体器件效能的同时还能满足性能要求。
附件下载:  (原始资料备查)

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