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TSV导电结构、半导体结构及制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-099-4190-4340
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/768;H01L23/538类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种TSV导电结构、半导体结构及制备方法,TSV导电结构包括衬底、TSV导电柱及TSV导电块,TSV导电柱与TSV导电块为一体成型,TSV导电柱的一端显露于衬底,TSV导电柱的另一端与TSV导电块相接,且TSV导电块的横截面积大于TSV导电柱的横截面积,以及衬底显露TSV导电块,从而可在进行TSV导电结构的导电引出时,通过TSV导电块增大接触面积,以有效降低由对准偏差所带来的接触不良的风险概率,以及可有效降低互连失效的风险概率,TSV导电结构的深度均一性容忍度较高,应用范围较广,且制备工艺较简单,易于实施,制造成本较低。
附件下载:  (原始资料备查)

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