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材料结构及其制作方法以及激光二极管及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-099-4600-5810
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01S5/125;H01S5/20类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种材料结构及其制作方法以及激光二极管及其制作方法,材料结构包括:基底、第一掩膜层与第二掩膜层;第一掩膜层位于基底上,第一掩膜层具有暴露基底的第一窗口,第一窗口包括开口端,开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于与第一窗口在基底所在平面上的正投影的面积;第二掩膜层位于第一掩膜层上,第二掩膜层内具有暴露第一掩膜层的第二窗口,第二窗口与第一窗口贯通。根据本发明的实施例,使用具有第一掩膜层与第二掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底,利用第一窗口的内收侧壁,使得外延生长的GaN基材料的位错终止在第一窗口的侧壁,无法在第二窗口内继续延伸。因而,可以降低GaN基材料的位错密度。
附件下载:  (原始资料备查)

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