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一种半导体结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-277-2082-1341
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/335;H01L29/778类
授权状态: 已授权
档案内容: 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括:衬底,包括第一区域和第二区域,第二区域环绕第一区域;位于第一区域上的纳米柱支撑结构;位于第二区域上的图形化掩膜层;位于图形化掩膜层上包裹纳米柱支撑结构的环形沟道层;位于图形化掩膜层上包裹沟道层的环形势垒层。本公开环形势垒层包裹环形沟道层的结构,可以使沟道层的各个侧面上均有二维电子气,增大了器件的导电电流,有效地提高了HEMT器件的电学性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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