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半导体结构及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-277-2081-8171
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/46;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括:设置于衬底上的过渡层以及第一DBR层;贯穿过渡层以及第一DBR层的第一凹槽,且第一凹槽的下方至少留有部分衬底;设置于第一DBR层上以及第一凹槽内的N型半导体层;依次层叠设置于所述N型半导体层上的发光层以及P型半导体层。本申请通过设置第一DBR层,做为选择性外延生长的掩膜结构,能够有效降低位错产生,提高外延层质量,即提高器件性能;另一方面,由于第一DBR层本身存在高反射率性质,从而提高器件的发光效率。并且,由于是在第一凹槽内进行侧向外延,极大降低穿透位错的产生,提高半导体结构的质量。
附件下载:  (原始资料备查)

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