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半导体制作工艺【异议或纠错】

档案编号: CQ-102-8593-9652
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/417;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开一种半导体制作工艺,其步骤包含提供一基底、在该基底上形成一栅极,该栅极的上方具有一硬掩模层且两侧具有间隔壁、在该硬掩模层与该些间隔壁上依序形成一氧化硅层以及一虚设间隔层、进行一蚀刻制作工艺移除该虚设间隔层、该氧化硅层、该硬掩模层以及该些间隔壁、以及在该蚀刻制作工艺后,在该栅极两侧的该基底中形成轻掺杂漏极。
附件下载:  (原始资料备查)

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