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具有阵列场板的HEMT器件及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-103-5806-8753
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明揭示了一种具有阵列场板的HEMT器件及其制备方法,所述HEMT器件包括:衬底;位于衬底上的异质结,异质结包括沟道层和势垒层;钝化层结构,位于异质结上方,所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有栅极区域、源极区域和漏极区域,栅极区域位于源极区域和漏极区域之间;栅极、源极和漏极,分别形成于栅极区域、源极区域和漏极区域中,栅极位于源极和漏极之间;若干场板,位于栅极和漏极之间的钝化层结构内部或上方,所述场板包括若干沿第一方向或垂直于第一方向阵列分布的金属块。本发明通过阵列场板的设置,可以均匀平衡尖峰电场,显著提高了器件的击穿电压及可靠性,且制备方法简单,无需对各层场板的宽度及高度进行细致优化。
附件下载:  (原始资料备查)

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