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专利信息

一种顶栅金属氧化物阵列基板【异议或纠错】

档案编号： CQ-105-8968-4295
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;G09F9/35类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种顶栅金属氧化物阵列基板,从下到上依次设置玻璃基板、第一金属层、Buffer层、半导体层、栅极绝缘层、第二金属层、第一中间绝缘层、第三金属层、平坦层、第四金属层等；第一金属层包括遮光层、第一中间桥接层和第二中间桥接层,第一中间桥接层和第二中间桥接层分别位于遮光层两侧；半导体层的位置与遮光层相对应,且其两端分别与第一中间桥接层和第二中间桥接层的一端相搭接；第三金属层包括源极和漏极,源极和漏极分别通过第一通孔与对应的第一中间桥接层和第二中间桥接层相连接。本发明通过优化结构,将遮光金属层同时作为中间桥接层连接源漏极与半导体层,解决了现有技术需要掺杂工艺来减少半导体层与源漏极接触电阻的结构性问题。
附件下载：  (原始资料备查)

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