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专利信息

一种适用于大尺寸屏幕的氧化物TFT结构的制作方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-113-6901-7037
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/34;H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种适用于大尺寸屏幕的氧化物TFT结构的制作方法,涉及TFT器件技术领域。所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极金属层GE、栅极绝缘层GI以及有源层SE；在每一TFT器件的有源层SE的上方形成绝缘层PV,并蚀刻出两个PV通孔；图案化形成ITO导电层,并通过两PV通孔分别与有源层SE搭接；图案化形成源漏极金属层SD,且源极S和漏极D分别与一ITO搭接；形成绝缘层CH,并在源极S上方蚀刻出CH通孔；图案化形成像素电极PE,并通过CH通孔与源极S搭接,完成TFT结构的制作。本发明通过绝缘层PV将源漏极与有源层隔开,并且通过ITO导电层及PV孔实现与有源层的接通,使得源漏极金属与有源层无直接接触,避免了金属离子扩散。
附件下载：  (原始资料备查)

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