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一种避免上下两层电极短接的阵列基板的制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-115-6056-4985
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/77类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种避免上下两层电极短接的阵列基板的制造方法,包括:在玻璃基板上形成TFT器件,TFT器件中的绝缘层均采用SiOx,并在TFT器件上方形成相应的有机平坦层,有机平坦层上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上图案化出公共电极层;在所述公共电极层上采用PECVD方式沉积一层第二绝缘层SiOx作为像素电容膜层;在所述第二绝缘块通上采用PVD方式沉积一层透明电极ITO层,其厚度在100~200A之间。本发明在第二绝缘层即像素电容膜层成膜后沉积一层薄薄的透明ITO,用于阻挡因光阻气泡破洞渗入的干蚀刻气体,就可避免因光阻气泡而造成的制程不良,从而提高产品良率,增加产品效益。
附件下载:  (原始资料备查)

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