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专利信息

一种GaAs基大功率激光器制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-800-6213-9880
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/34;H01S5/343;C23C16/30;C23C16/455类
授权状态： 已授权
档案内容： 一种GaAs基大功率激光器制备方法,在生长GaAs低温缓冲层、AlxGayAs下限制层、AlGaAs下波导层、量子阱发光区、AlGaAs上波导层、AlxGayAs上限制层以及GaAs帽层时均是先通入AsH3气体后通入组分定义的TMAl气体,间隔1-5秒后停止通入TMAl气体且通入组分定义的TMGa气体,间隔1-10秒后停止通入AsH3气体及TMGa气体停止生长1-50s。并且通过周期循环的方式达到每层生长的厚度要求。此结构能精确的以每周期一个单原子层来控制外延生长,外延表面更加原子级平整,外延层的厚度只决定于外延的周期数,解决化学气象生长的对温度、束流大小等敏感的问题,可以在较低的温度下生长高质量的薄膜材料,保证电流扩展和光学特性,提高了器件的可靠性、稳定性。
附件下载：  (原始资料备查)

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