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一种垂直腔面发射激光器外延结构【异议或纠错】

档案编号: CQ-104-7697-4267
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01S5/183;H01S5/028类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开一种垂直腔面发射激光器外延结构。所述外延结构从下到上依次包括:衬底、缓冲层、第一高折射率差AlGaAsDBR层、第一低折射率差AlGaAsDBR层、下AlGaAsP过渡层、下AlGaInPDBR层,下AlGaInP垒层、GaInP/AlGaInP多量子阱垒层、上AlGaInP垒层,上AlGaInPDBR层、上AlGaAsP过渡层、第二低折射率差AlGaAsDBR层、第二高折射率差AlGaAsDBR层、GaAs帽层。本发明通过组合DBR、分段掺杂,及P-DBR组分渐变等方式,同时利用AlGaAsP过渡层,减少在有源区界面引入的位错等缺陷,实现650nmVSCEL的高效稳定工作。
附件下载:  (原始资料备查)

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