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专利信息

一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-094-8071-4766
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/34;H01S5/343;H01S5/20类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种基于GaAsP界面过渡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述半导体器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs-(1-x1)P-(x1)下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、GaAs-(1-x11)P-(x11)上过渡层和GaAs帽层。本发明还提供所述AlGaInP红光半导体激光器的制备方法。通过在GaAs过渡层生长界面上主动生长GaAsP过渡层,调整AsH-3、PH-3气流量比例,实现GaAs-(1-x)P-x材料组份渐变生长,减少As/P气体切换引入的应力和缺陷,提高小功率AlGaInP红光半导体激光器使用寿命。
附件下载：  (原始资料备查)

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