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高电子迁移率场效应晶体管及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-959-8710-5608
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/10;H01L29/205;H01L29/778;H01L21/335类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了高电子迁移率场效应晶体管及其制备方法。本发明提出了一种高电子迁移率场效应晶体管,包括:衬底;设置在衬底的一侧的沟道层;设置在沟道层远离衬底一侧的势垒层,势垒层和沟道层相接触的界面处形成有第一二维电子气,第一二维电子气形成在沟道层一侧,势垒层中具有凹槽,凹槽的底部和沟道层之间的距离不大于5nm;设置在势垒层远离沟道层一侧的钝化层,钝化层覆盖势垒层的朝向凹槽内部的侧壁,钝化层不覆盖凹槽的底部;设置在凹槽中的半导体层,半导体层和沟道层的界面处形成有第二二维电子气,第二二维电子气形成在半导体层一侧。由此,可以简便地实现高电子迁移率场效应晶体管的常关特性。
附件下载:  (原始资料备查)

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