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一种气液相混合生长氮化镓单晶的装置【异议或纠错】

档案编号: CQ-600-5663-1299
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/40;C30B30/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本实用新型公开了一种气液相混合生长氮化镓单晶的装置,包括密闭腔体、用于盛放镓的容器、加热机构和等离子发生器,容器放置在密闭腔体中,镓放置在容器中,加热机构位于容器的底部和顶部使镓处于熔融状态,等离子发生器位于密闭腔体的外部,等离子发生器与密闭腔体连通。密闭腔体的一侧设有与等离子发生器连通的等离子体入口,另一侧设有等离子体出口,氮放置在等离子发生器中产生氮基等离子体,氮基等离子体通过等离子体入口进入到密闭腔体中。本实用新型采用气液结合的生长方式生长氮化镓单晶,采用等离子体的形式提供高反应活性的氮源,由熔融方式得到液态镓源,克服了液相生长需要跨越的高的氮气活化势垒,以及气相生长在远离准平衡态生长的缺点。
附件下载:  (原始资料备查)

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