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一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-128-5526-2636
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/336;H01L29/78类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开一种碳化硅功率MOSFET器件的制备方法,基于两次自对准工艺,分别完成SiC MOSFET的沟道自对准,接触孔的自对准和接触钝化的自对准,与传统的SiC MOSFET制程相比,可以减少三张光罩板和三次光刻,可以避免由于光刻对准造成的沟道不对称偏位,接触孔偏位,并且可以降低元胞的设计尺寸,降低SiC MOSFET的比导通电阻,提升产品性能及成品率。
附件下载:  (原始资料备查)

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