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一种3C-SiC外延结构【异议或纠错】

档案编号: CQ-990-0676-8370
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种3C-SiC外延结构,所述3C-SiC外延结构由下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、3C-SiC外延层;通过在衬底和3C-SiC外延层之间插入了禁带宽度和临界击穿场强更高的GaN缓冲层,提升了3C-SiC器件的耐压性能;且在Si衬底上生长3C-SiC时,在升温过程中Si原子的扩散会形成界面空洞,通过在Si衬底上先生长一层AlN缓冲层,其一旦覆盖衬底高温下几乎不会发生原子迁移重结晶,从而有效抑制Si的挥发形成的界面空洞缺陷,进而得到高质量的3C-SiC外延结构。
附件下载:  (原始资料备查)

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