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专利信息

一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-017-5418-3283
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/024;H01S5/343类
授权状态： 已授权
档案内容： 一种微通道激光器芯片结构及其制作方法,该芯片包括外延片,外延片包括自下至上依次设置的衬底、N限制层、量子阱有源区、AlGaInP层和GaAs层,在AlGaInP层和GaAs层上腐蚀出条形发光区,量子阱有源区及条形发光区上设置有SiO2层,SiO2层上设置有P面金属,P面金属与条形发光区的侧面之间设置有的微通道。其制作方法,包括如下步骤：(1)在激光器外延片的表面光刻出条形发光区；(2)腐蚀表面GaAs和AlGaInP；(3)形成帽檐；(4)在激光器外延片上进行SiO2层和P面金属的蒸镀；(5)腐蚀掉SiO2层；(6)腐蚀掉AlGaInP,形成微通道。本发明通过在激光器芯片中设置微通道,提高了激光器抗热、抗大电流的能力,提高了激光器的寿命。
附件下载：  (原始资料备查)

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