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专利信息

一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器【异议或纠错】

档案编号： CQ-017-5424-8264
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01S5/30类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器,属于半导体激光器技术领域,从下至上包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、第一上限制层、腐蚀阻挡层、第二上限制层和欧姆接触层；腐蚀阻挡层为GaInP材料；有源层为GaAsP材料或者InGaAsP材料；下限制层为AlGaInP材料,第一上限制层为AlGaInP材料,上波导层和下波导层采用GaInP；第二上限制层为AlGaAs材料,欧姆接触层为GaAs材料。本发明能够较容易的实现材料生长,由第二上限制层和欧姆接触层组成的结构能够实现高选择性的化学腐蚀结果,能够有效控制脊型波导的台阶腐蚀深度、台阶对称性,提升半导体激光器的性能。
附件下载：  (原始资料备查)

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