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碳化硅外延生长用石墨盘基座【异议或纠错】

档案编号: CQ-133-1186-0809
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/36;C30B25/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本实用新型公开了一种碳化硅外延生长用石墨盘基座,包括基座本体和口袋,基座本体的顶面包括第一上表面,基座本体的底面包括第一下表面,口袋设置于第一上表面上,所述第一上表面和所述第一下表面均为圆锥面,第一上表面和第一下表面的锥度大小相同且第一上表面的母线与第一下表面的母线相平行。本实用新型的碳化硅外延生长用石墨盘基座,因SiC生长过程中会存在“耗尽”现象,导致了外延片径向上各点的生长速率及掺杂浓度随径向位置变化而有所差异,造成了外延片厚度及浓度的不均匀性,通过在基座本体的顶面设置圆锥面,提高外延片厚度均匀性,同时在底面设置与顶面锥度大小相同的圆锥面,以提高温场的均匀性,从而可以提高掺杂浓度均匀性。
附件下载:  (原始资料备查)

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