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一种SiC外延深沟槽的填充方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-318-0031-5453
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/04;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/16类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种SiC外延深沟槽的填充方法,包括以下步骤:对衬底上生长的N型4H-SiC外延层进行沟槽刻蚀,刻蚀深度大于10μm;对刻蚀后的沟槽进行部分填充,在沟槽内形成表面为V型坑的SiC外延层;将V型坑填平;多次重复上述步骤直至生长至离沟槽顶部小于5μm;向沟槽内填充表面平整的SiC外延层,直至将沟槽填满;本发明通过控制生长条件减小V型坑的横向尺寸,使V型坑在初期纵向生长,此时,0001面积减小,缺陷可以充分拐弯,减小位错穿透到表面的概率,利用这种V型坑缺陷自我湮灭机制,在外延生长过程中将衬底与外延层界面处形成的界面位错和衬底上的缺陷自我湮灭,从而降低器件的漏电流和提高器件的击穿电压。
附件下载:  (原始资料备查)

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