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一种SiC外延沟槽的填充方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-318-0033-3950
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/04;H01L29/04;H01L29/06;H01L29/16类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种SiC外延沟槽的填充方法,包括以下步骤:对衬底上生长的N型4H-SiC外延层进行沟槽刻蚀,对刻蚀后的沟槽进行部分填充,在沟槽内形成表面为V型坑的SiC外延层并生长V型坑,向沟槽内填充表面平整的SiC外延层,直至将沟槽填满,最后抛光除去台面顶部过生长的4H-SiC,得到上表面光滑的交替排列的p型和n形区域;本发明通过在沟槽内先填充形成V型坑,再进行V型坑生长,通过控制生长条件增大V型坑斜边的长度,降低V型坑顶部的长度,以降低穿透位错的概率,促使界面位错和缺陷充分转弯而自我湮灭,利用这种V型坑位错自我湮灭机制,将衬底和外延层界面处形成的界面位错和衬底上的缺陷自我湮灭,从而降低器件的漏电流和提高器件的击穿电压。
附件下载:  (原始资料备查)

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