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一种互连结构的形成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-509-1611-9161
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/768类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种互连结构的形成方法,包括:通过在第一沟槽的底部和部分侧壁表面、以及第二沟槽的底部和部分侧壁表面形成第一黏附阻挡层,以第一黏附阻挡层为掩模,对第一沟槽侧部和第二沟槽侧部的介质层进行刻蚀处理。在进行刻蚀处理时,通过横向刻蚀处理,就可以形成第二区域上的剩余的介质层的顶面高于第一区域上的剩余的介质层的顶面的结构。通过这样的结构,使后续的刻蚀过程中,第一导电填充层顶面和第二导电填充层顶面之间的高度差降低,可以有效地提高器件的稳定性和可靠性。而第一黏附阻挡层和第二黏附阻挡层,可以对介质层形成保护,避免保护层材料或沟槽填充材料层扩散进入介质层。
附件下载:  (原始资料备查)

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