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半导体结构及其形成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-064-8021-0666
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/528类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种半导体结构及其形成方法,半导体结构的形成方法包括:提供基底,包括相背的正面和背面,基底正面的器件单元区上形成有晶体管,晶体管包括位于基底正面的有源区、位于有源区上的栅极结构、位于栅极结构两侧的有源区内的源漏掺杂区、位于栅极结构侧部且覆盖源漏掺杂区的层间介质层;层间介质层中还形成有与源漏掺杂区相接触的源漏互连层,源漏互连层的底部还形成有贯穿层间介质层的导电插塞,导电插塞位于相邻器件单元区之间且与源漏互连层相接触;形成贯穿背面的相邻器件单元区之间基底的掩埋沟槽,掩埋沟槽暴露出导电插塞;对掩埋沟槽进行填充,形成掩埋电源轨,掩埋电源轨与导电插塞相接触。本发明提高工艺兼容性,优化半导体结构的性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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