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半导体器件及其形成方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-059-3759-8147
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H10B41/42;H10B41/35类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种半导体器件及其形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括存储区和逻辑区;在所述存储区上形成若干相互分立的存储栅结构、以及在所述逻辑区上形成栅极膜层,所述存储栅结构包括浮栅层以及位于所述浮栅层上的控制栅层;在所述衬底上、所述存储栅结构、所述栅极膜层上形成初始半导体层;在所述初始半导体层上形成初始阻挡层,所述存储区上的所述初始阻挡层的顶部表面高于所述逻辑区上的所述初始阻挡层的顶部表面;以减少制程成本和制程周期,且优化工艺窗口,使得产品的可靠性得到提高。
附件下载:  (原始资料备查)

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