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一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构【异议或纠错】

档案编号: CQ-600-5652-2646
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/778类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构,属于HEMT器件结构技术领域,该晶体管结构,包括衬底,衬底表面依次生长GaN缓冲层、AlGaN层和电极层,GaN缓冲层包括在衬底表面依次生长碳掺杂GaN层Ⅰ和非故意掺杂GaN层Ⅰ而形成的反偏PN结,反偏PN结的两侧设置有将其中储存的电荷泄放的泄放结构,本实用新型的有益效果是,本实用新型通过在缓冲层引入泄放结构来释放掉因PN结反偏势垒而存储的电荷,可抑制C-GaN HEMT器件的电流崩塌效应,同时保证了晶体管结构整体的性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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