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一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管【异议或纠错】

档案编号: CQ-600-5662-2220
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/868;H01L29/872类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明揭示了一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管,依次由阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底、碳化硅N-外延层层叠构成,所述碳化硅N-外延层上间隔设置有多个P+注入区,所述P+注入区上设有欧姆接触电极,所述欧姆接触电极之间的间隙由肖特基接触电极填充,所述碳化硅N-外延层两侧均设有双极性传输层。本发明MPS二极管由于变掺杂的双极性传输层存在,降低了MPS二极管的PN结导通电压,使二极管可以在更低的电流下提前进入双极性工作状态,发生电导调制效应,使二极管的导通电阻降低,降低二极管在大电流下的芯片温度,从而提高二极管的抗浪涌电流能力,也能提高MPS二极管的反向击穿电压。
附件下载:  (原始资料备查)

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