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一种小沟道电阻的HEMT器件【异议或纠错】

档案编号: CQ-600-5662-3212
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/778类
授权状态: 已授权
档案内容: 本实用新型涉及半导体领域,具体来说是一种小沟道电阻的HEMT器件,包括衬底,所述衬底上设有缓冲层;所述缓冲层上设有沟道层;所述沟道层上设有势垒层;所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极;所述栅极与势垒层之间设有P-GaN层;所述源极与栅极以及栅极与漏极之间设有基础介质层,所述基础介质层上刻蚀有多个沟槽,所述沟槽内生长有填充介质层。本实用新型公开了一种小沟道电阻的HEMT器件;本实用新型通过改变介质层的压应力方式来调节势垒层受到的应力作用,介质层起到调节沟道2DEG的作用;进而减小沟道电阻,改善频率特性。
附件下载:  (原始资料备查)

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