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一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-600-5663-9948
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法,属于HEMT器件制备技术领域,该HEMT器件中的异质结构包括沟道层和势垒层,沟道层和势垒层之间由上而下依次设置有半导体插入层Ⅰ和沟道控制层;沟道控制层的上方通过刻蚀形成凹栅区,凹栅区与势垒层的上表面覆盖有钝化层,栅极设置在凹栅区的钝化层上表面,源极和漏极分别穿过钝化层形成在沟道层的上表面,本发明的有益效果是,本发明在凹槽栅制作时实现了蚀刻自停止,实现了最优的沟道控制,增强了整体的极化效应,提高了二维电子气浓度,提升了器件的性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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