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具有埋层结构的碳化硅MPS二极管及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-600-5665-2242
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/868;H01L29/872;H01L21/329类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开的碳化硅MPS二极管,包括:从下至上叠层设置的阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底及碳化硅N-外延层;在碳化硅N-外延层的顶部形成有两个P+注入区,两个P+注入区分别通过两个P+埋层Ⅱ与两个P+埋层Ⅰ的顶部接触,P+注入区、P+埋层Ⅰ的宽度大于P+埋层Ⅱ;在两个P+注入区的顶部设置有两个欧姆接触电极,在两个欧姆接触电极之间设置肖特基接触电极。利用窄的P+埋层Ⅱ连接P+注入区和P+埋层Ⅰ,在外延层内部增加了PN结比例,消除了MPS二极管正向导通时的snapback现象;同时降低MPS二极管从单极性工作状态到双极性工作状态的转折电压,从而使二极管在较低的正向电流下进入双极性工作状态,使二极管的大电流工作温度降低,拥有更高的抗浪涌电流能力。
附件下载:  (原始资料备查)

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